恩智高性能多通道可編程電池模擬器N83580

產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2024-01-20

簡(jiǎn)要描述：恩智高性能多通道可編程電池模擬器N83580系列為一款小功率、高精度、多通道的高性能可編程電池模擬器。采用雙象限設(shè)計(jì)，電流可充可放。

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產(chǎn)品詳情

恩智高性能多通道可編程電池模擬器N83580系列簡(jiǎn)介

同系列型號(hào)：N83580-06-01 N83580-06-02 N83580-06-03 N83580-05-05 N83580-15-01

N83580系列為一款小功率、高精度、多通道的高性能可編程電池模擬器。采用雙象限設(shè)計(jì)，電流可充可放。N83580系列單機(jī)8個(gè)通道輸出，并支持8路高精度DVM，DVM精度達(dá)0.1mV，通道間相互隔離，方便多通道串聯(lián)使用，不僅可滿足BMS測(cè)試需求，還可滿足消費(fèi)類電子產(chǎn)品ATE測(cè)試；N83580系列電流精度高達(dá)100nA，可測(cè)試電路靜態(tài)功耗等特性；支持電源模式、充電模式、電池模擬、內(nèi)阻模擬、SOC模擬、故障模擬等多種測(cè)試功能，并內(nèi)置電池SOC模型，測(cè)試效率更高；N83580系列支持LAN/RS232/CAN通訊控制，編程軟件靈活易用、操作簡(jiǎn)潔，能滿足多通道、多參數(shù)、復(fù)雜測(cè)試環(huán)境下對(duì)電池模擬器的需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 電壓范圍：0~5V/0~6V/0~15V

■ 電壓精度高達(dá)0.6mV

■ 電壓紋波噪聲低至2mVrms

■ 內(nèi)置8路高精度DVM測(cè)量，精度可達(dá)0.1mV

■ 電流范圍：±1A/±2A/±3A/±5A

■ nA電流測(cè)量精度，自動(dòng)量程

■ 單機(jī)8通道，通道間隔離，支持串聯(lián)

■ 支持電池模擬、內(nèi)阻模擬、SOC模擬、故障模擬等功能

■ 內(nèi)置3組電池SOC模型

■ 支持主動(dòng)/被動(dòng)均衡測(cè)試

■ 支持LAN、RS232、CAN通訊控制，LAN雙接口

功能與優(yōu)勢(shì)

支持主動(dòng)/被動(dòng)均衡測(cè)試

N83580采用雙向設(shè)計(jì)，每通道均可獨(dú)立控制電流輸入輸出方向，用戶可自定義電池充放電模型并通過(guò)專用上位機(jī)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制，滿足BMS主動(dòng)/被動(dòng)均衡測(cè)試要求。

超高電流精度，支持靜態(tài)功耗測(cè)試

N83580基本精度高，電流精度高達(dá)100nA，如下圖所示，通過(guò)DMM實(shí)測(cè)電流值與N83580的回讀電流值進(jìn)行對(duì)比，偏差值在100nA以內(nèi)。通過(guò)N83580給被測(cè)產(chǎn)品供電，可直觀測(cè)試出被測(cè)產(chǎn)品在待機(jī)狀態(tài)下靜態(tài)功耗，篩選出不合格的產(chǎn)品，確保產(chǎn)品出廠后待機(jī)工作時(shí)間在標(biāo)稱范圍之內(nèi)。

高精度DVM測(cè)量

N83580系列除提供電池模擬器功能之外還提供基礎(chǔ)電路測(cè)量功能，內(nèi)置8路高精度DVM數(shù)字電壓表直接測(cè)量電路中TP點(diǎn)電壓，無(wú)需外購(gòu)DVM進(jìn)行測(cè)試，為客戶節(jié)省測(cè)試成本。N83580系列DVM電壓測(cè)量雙量程±5V/±30V，5位半分辨率，測(cè)量精度高達(dá)0.1mV。

超高集成度，內(nèi)置故障模擬功能

N83580在19英寸2U機(jī)箱內(nèi)集成8個(gè)獨(dú)立輸出通道，每通道還內(nèi)置正負(fù)極短路、正負(fù)極斷路、極性反接模擬功能，通過(guò)上位機(jī)軟件直接控制，省去模擬電池故障的外置矩陣開關(guān)部件，為客戶節(jié)省了空間和寶貴投資。

電池模擬特性功能，適配各種規(guī)格BMS芯片測(cè)試

N83580系列電池模擬器支持電源模式、充電模式、電池模擬、SOC測(cè)試、SEQ編輯功能、故障模擬等多種電池模擬功能和特性。N83580系列內(nèi)置3組電池SOC模型，真實(shí)模擬電池放電，測(cè)試更完備。N83580系列一臺(tái)儀器可實(shí)現(xiàn)多種用途，精簡(jiǎn)測(cè)試設(shè)備，優(yōu)化測(cè)試流程。且N83580內(nèi)部電路針對(duì)不同芯片進(jìn)行優(yōu)化，可適配各種規(guī)格BMS芯片測(cè)試。N83580可測(cè)試待機(jī)靜態(tài)功耗，創(chuàng)建任意規(guī)格的電池模型，具有強(qiáng)大的保護(hù)功能，無(wú)任何電池安全隱患和風(fēng)險(xiǎn)。